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  • 單晶硅片行業近幾年新增產能

    近2-3年,由于單晶Perc電池產業鏈成熟、技術指標不斷超預期所帶來的效率和性價比優勢,帶動電池片廠商紛紛升級和加碼單晶Perc產能,包括對原有單晶電池產線的Perc化升級和新增單晶材料Perc電池產能。2017-2018年是原有單晶電池產
    發布時間:2020-05-11   點擊次數:148

  • 硅單晶材料多型缺陷有什么影響

    提高硅晶體質量,就意味著必須降低晶體中得缺陷,正如單晶材料設備廠家所說,PVT法生長硅單晶需要控制的工藝參數較多,并且這些參數在生長過程中不斷發生變化,所以對晶體中的缺陷控制比較困難。硅單晶的缺陷主要包括微管、多型、位錯、層錯和小角晶界等。
    發布時間:2020-04-16   點擊次數:81

  • 半導體碳化硅單晶高溫化學氣相沉積法

    通常半導體單晶材料的晶錠生長是采用元素半導體或化合物半導體熔融液中的直拉單晶法或籽晶凝固法。然而由于熱動力學原因,固態SiC只有在壓強超過1×105atm、溫度超過3200℃時才會熔化。目前,晶體生長實驗室及工廠所擁有的技術手段還無法達到這
    發布時間:2020-04-04   點擊次數:186

  • 碳化硅單晶的結構和性質

    SiC晶體結構具有同質多型的特點,其基本結構是Si-C四面體結構,它是由四個Si原子形成的四面體包圍一個碳原子組成,按相同的方式一個Si原子也被四個碳原子的四面體包圍,屬于密堆積結構。SiC多型晶體的晶格常數a可以看作常數,而晶格常數c不同
    發布時間:2020-03-17   點擊次數:114

  • 半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史

    半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史,簡單介紹了半導體SiC單晶材料的結構與性質,對物理氣相傳輸法(PVT)制備SiC單晶做了描述,詳細介紹了SiC單晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷,同時對SiC單晶材料的發展趨勢進行了展望。以硅(S
    發布時間:2020-03-04   點擊次數:352

  • 單晶定向和切割操作實施辦法

    首先對被測晶體進行初步評價,用XRD常規θ/2θ掃描。理想單晶是光斑所照射的塊狀平面僅出現一種晶面的衍射峰,或者根本掃不到峰。僅有一個很強的主晶粒峰,只是取向有微小差異的,即有晶體缺陷的,可稱為準單晶。否則,就是多晶,但多晶概念太廣泛,有僅
    發布時間:2020-02-17   點擊次數:102

  • 丹東新東方晶體儀器祝大家元旦快樂!

      元旦將至,新年初始,需活動拇指。多發短信至親朋好友以通經脈暖氣血,此乃利國民身心健康之大計也。在這個溫馨幸??鞓访篮玫臅r刻,特別的祝福送給特別的你,祝元旦快樂,事事如意!丹東新東方祝新老客戶元旦快樂!丹東新東方晶體儀器有限公司成立于19
    發布時間:2019-12-31   點擊次數:177

  • 徑向溫度梯度不引起單晶材料位錯的條件

    徑向溫度梯度不引起位錯產生的條件為:在實際的晶體生長中,由于A1203材料熔點很高,為了獲得足夠的化料溫度和維持較高的正常的晶體生長溫度,熱場設計的都比較緊湊,外界條件的波動往往造成溫度梯度的不穩定變化。同時,實際生長晶體中坩堝與晶體的直徑
    發布時間:2019-12-17   點擊次數:89

  • 藍寶石晶體定向外界條件變化容易造成晶格排列錯位

    藍寶石晶體(0001)面和(1120)面的位錯腐蝕坑呈現不同的形狀是由晶體所屬的點群和晶體結構所決定的?;瘜W腐蝕劑的作用就是破壞晶體內部分子或原子間相互作用鍵,鍵合力較小的首先被破壞。而在晶體生長過程中位錯也主要產生在相互鍵合較弱的分子或原
    發布時間:2019-12-02   點擊次數:67

  • 藍寶石晶體定向用KOH進行化學腐蝕

    藍寶石性質穩定,常溫條件下難與酸、堿反應。但在高溫條件下用熔融的KOH會對藍寶石單晶產生化學腐蝕。不同腐蝕時間的腐蝕結果的密度為3.98g/cm3。其化學性能非常穩定,一般不溶于水,不受酸、堿腐蝕。藍寶石的硬度很高,為莫氏硬度9級,僅次于Z
    發布時間:2019-11-18   點擊次數:82

  • 單晶材料藍寶石單晶中的位錯缺陷

    近年來寬禁帶(Eg>2.3V)半導體材料發展十分迅速,稱為第三代電子材料。主要包括SiC、金剛石、GaN等。同一、二代電子材料相比,第三代電子材料具有禁帶寬度大,電子漂移飽和速度高、介電常數小、導熱性能好等特點,單晶材料非常適用于制作抗輻射
    發布時間:2019-11-04   點擊次數:140

  • 硅單晶定向實際生產中晶體中氧濃度參數調整

    在硅單晶的實際生產中,就晶體中氧濃度而言有人建議采用數種方法,以處理生長期間晶體固化速率或生長長度的問題,所述方法包括對坩堝旋轉速度、爐內壓力、大氣流速、靜磁場應用或其數個參數(以下稱作操作參數)組合的調整??赏ㄟ^調整操作參數來調整晶體內的
    發布時間:2019-10-28   點擊次數:182

  • 硅單晶定向中硅材料的位錯

    在實際應用的硅單晶定向材料的晶格中,總是存在著偏離理想情況的各種復雜現象。存在著各種形式的缺陷。按著缺陷,晶體空間分布尺寸的情況可以分為點缺陷、線缺陷、面缺陷等,這里主要討論硅單晶體中的位錯和硅外延片中的層錯。??位錯是硅單晶中主要的一部分
    發布時間:2019-09-10   點擊次數:275

  • 單晶定向中的用解理法進行激光軸直接定向

    硅單晶定向將待測晶錠一端先磨成錐形,在盛有80#金剛砂的研缽中研磨,使錐形端面解理出許多微小的解理面,這些解理面都是按一定的晶向解理出來的,因而包含著結晶學構造中的各種方向特征。對于硅單晶一類的金剛石結構,其一解理面,這是由于這個晶面族之間
    發布時間:2019-09-06   點擊次數:161

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